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一种电热式平板微晶玻璃多层晶化窑制作方法
专利
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低温晶化的bzt-bct压电薄膜的制备方法
专利
专利摘要: 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法,它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高,不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题,本方法如下制备溶液F,溶胶E;制备溶胶D;制备钛酸铅镧钙溶胶;制备锆钛酸钡钙溶胶;在基底上制备种子层薄膜,在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶,热分解,晶化处理,即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构,表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入,在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构,表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。
胡娟
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